| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Mehrfachniveau-Halbbrückenanordnung (20) eines Spannungswandlers (10), aufweisend – eine Reihenschaltung (23) mindestens eines ersten Schaltorgans (231), eines zweiten Schaltorgans (232), eines dritten Schaltorgans (233) und eines vierten Schaltorgans (234), – Niederspannungsanschlüsse (21, 22), die mit einem Endpunkt der Reihenschaltung (23) der Schaltorgane (231–234) und einem Mittelabgriff zwischen dem zweiten Schaltorgan (232) und dem dritten Schaltorgan (233) der Reihenschaltung (23) verbunden sind, – Hochspannungsanschlüsse (25, 26), wobei die Hochspannungsanschlüsse (25, 26) mit den beiden Endpunkten der Reihenschaltung (23) der Schaltorgane (231–234) verbunden sind, und – einen Speicherkondensator (24), der mit einem Abgriff zwischen dem ersten Schaltorgan (231) und dem zweiten Schaltorgan (232) der Reihenschaltung (23) und mit einem weiteren Abgriff zwischen dem dritten schaltorgan (233) und dem vierten Schaltorgan (234) der Reihenschaltung (23) verbunden ist. Die Mehrfachniveau-Halbbrückenanordnung (20) zeichnet sich durch mindestens eine Schutzschaltung (27, 28) aus, die einen bedingten Strompfad zwischen einem der Anschlüsse des Speicherkondensators (24) und einem der Endpunkte der Reihenschaltung (23) der Schaltorgane (231–234) umfasst. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Spannungswandler mit einer derartigen Mehrfachniveau-Halbbrückenanordnung, ein Verfahren zum Betreiben eines solchen Spannungswandlers, sowie eine Schaltungsanordnung mit mindestens zwei Spannungswandlern. |
