| 发明名称 | 一种半导体器件及其制作方法和电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个存储单元的前端器件，所述存储单元包括至少两个上拉晶体管、至少两个下拉晶体管以及至少两个传输门晶体管，其中，所述上拉晶体管、所述下拉晶体管和所述传输门晶体管均包括栅极和栅极侧壁；对每个存储单元中的两个所述传输门晶体管进行非对称口袋离子注入。根据本发明的制作方法，形成具有不同掺杂浓度的非对称口袋区的传输门晶体管，可有效平衡SRAM单元的可写性与读取稳定性之间的冲突，进而提高了SRAM单元的可写性和读取稳定性，提升SRAM单元的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN105206577A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201410256238.0 | 申请日期 | 2014.06.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王楠;王颖倩;李煜;王媛 |
| 分类号 | H01L21/8244(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8244(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个存储单元的前端器件，所述存储单元包括至少两个上拉晶体管、至少两个下拉晶体管以及至少两个传输门晶体管，其中，所述上拉晶体管、所述下拉晶体管和所述传输门晶体管均包括栅极和栅极侧壁；对每个存储单元中的两个所述传输门晶体管进行非对称口袋离子注入。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||