一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法

摘要

本发明涉及一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法，该方法将等离子体增强化学气相沉积纳米石墨烯工艺技术应用到了抑制二次电子发射领域，并通过对工艺过程进行改进和优化设计，在金属基片表面实现了厚度可控的纳米石墨烯薄膜生长，可以将二次电子发射系数降低至小于1.1，同时工艺稳定性高，在室温大气下放置半年，基片二次电子发射系数变化小于10％，本发明在解决微波部件微放电效应及粒子加速器的电子云方面有较好的应用前景。

主权项

一种直接沉积纳米石墨烯抑制二次电子发射的方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)、将金属基片置于等离子体增强化学气相沉积系统中，抽真空至3‑5Pa；(2)、升温至350‑450℃，通入氩气将金属基片退火；(3)、关闭氩气，抽真空至5Pa以下，通入20‑40sccm的甲烷气体，调节气压为16Pa‑33Pa，升温至570‑670℃，稳定0.4‑1h；(4)、设置等离子体功率为110‑130W，打开等离子体电源，此时甲烷气体激发成等离子态，保持生长过程持续1h‑10h；(5)、关闭等离子体电源，等离子体增强化学气相沉积系统降温，取出金属基片。