发明名称 |
通过测试程序增加flash器件窗口的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法,包含:第1步,使用测试程序对所有晶圆上所有芯片进行VTP变化范围的测试;第2步,使用测试程序对所有晶圆上所有芯片进行VTE变化范围的测试;第3步,按照不同的VTE范围进行区间分组,将VTE变化范围落入某特定区间的芯片分入同一组;第4步,分别对不同的区间分组进行相应不同的参考电流调整或者不调整,重新读取新的参考电流值使所有分组的芯片的VTE值都向同一数值靠拢,分布收敛;第5步,重新使用新的参考电流值对所有芯片进行VTP变化范围的测试;第6步,重新使用新的参考电流值对所有芯片进行VTE变化范围的测试。本发明方法增加判断与调整步骤,提升flash器件窗口。 |
申请公布号 |
CN105206305A |
申请公布日期 |
2015.12.30 |
申请号 |
CN201510607089.2 |
申请日期 |
2015.09.22 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
刘凯;张可钢;陈华伦;赵鹏;孙黎瑾 |
分类号 |
G11C29/08(2006.01)I;G11C29/16(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/08(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
一种通过测试程序增加flash器件窗口的方法,其特征在于:包含如下的步骤:第1步,使用测试程序对所有芯片进行VTP变化范围的测试;第2步,使用测试程序对所有芯片进行VTE变化范围的测试;第3步,按照不同的VTE范围进行区间分组,将VTE变化范围落入对应区间分组的芯片分入该组;第4步,分别对不同的区间分组进行相应不同的参考电流调整或者不调整,重新读取新的参考电流值,使所有分组的芯片的VTE值都向同一数值靠拢,分布收敛;第5步,重新使用测试程序对所有晶圆进行VTP变化范围的测试;第6步,重新使用测试程序对所有晶圆进行VTE变化范围的测试。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |