| 摘要 |
<p>본 발명은 비대칭형 나노구조체의 형성방법에 관한 것으로서, 기판 또는 박막 상에 임프린트층을 형성하는 제1단계와, 상기 임프린트층 상에 가변형 임프린트용 스탬프를 위치시켜, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴을 변형시키기 위한 압력 또는 방향으로 가변형 임프린트용 스탬프를 가압하고, 경화 공정을 수행하여 비대칭 패턴층을 형성하는 제2단계와, 상기 비대칭 패턴층의 잔류막을 제거하여 기판 또는 박막의 일부 영역을 노출시키는 제3단계와, 상기 노출된 기판 또는 박막 영역 및 비대칭 패턴층 상에 금속 또는 금속산화물을 증착하는 제4단계와, 상기 비대칭 패턴층을 제거하여 기판 또는 박막 상에 금속 또는 금속산화물 패턴을 형성하는 제5단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 간단한 공정에 의해 대면적의 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체를 얻을 수 있으며, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 압력 또는 방향에 따라 패턴의 비대칭성 정도를 조절할 수 있어 다양한 분야에 활용할 수 있는 이점이 있다.</p> |
