| 发明名称 | 一种微米级S-Si半导体合金膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种微米级S-Si半导体合金膜，所述合金膜是由基片、S膜和Si膜组成的多晶结构；所述合金膜的薄层电阻为10～50Ω/口，在1.1～2.5μm近红外波段中，反射率为7～15%；该合金膜的制备方法包括镀膜、合金化和退火。本发明制备的半导体合金应用于光伏太阳能电池后，其在1.1-2.5μm的近红外波段的转换效率η可提高到2%以上；该微米级S-Si半导体合金膜环保、具有低的反射率、低的薄层电阻和在1.1-2.5μm的近红外光波段有显著的光电转换效应，且制备方法操作简单、制备方便、成本低、适用于工业化大规模生产。 | ||
| 申请公布号 | CN105206661A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201510592397.2 | 申请日期 | 2015.09.17 |
| 申请人 | 西南科技大学 | 发明人 | 郭宝刚;胡思福;李同彩;杨永佳;刘德雄;蒋鑫;李晓红;温才;唐金龙;李同洪;刘桂枝 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人 | 袁英 |
| 主权项 | 一种微米级S‑Si半导体合金膜，其特征在于，所述合金膜是由基片、S膜和Si膜组成的多晶结构；所述合金膜的薄层电阻为10～50Ω/口，在1.1～2.5μm近红外波段中，反射率为7～15%。 | ||
| 地址 | 621000 四川省绵阳市涪城区青龙大道59号中段 | ||