发明名称 |
一种低温制备五氧化二钒纳米薄膜的方法 |
摘要 |
本发明涉及一种低温制备五氧化二钒纳米薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:清洗基片、溶胶制备、成膜和薄膜后处理等步骤。本发明还涉及由所述方法制得的五氧化二钒纳米薄膜以及所述五氧化二钒纳米薄膜在热致相变装置、电致变色装置或气敏装置等中的应用。本发明所述方法具有成膜简单,成本低,可大面积制备等优点,并且该方法通过在密闭环境下进行热处理,显著地降低制备温度,极大降低了制造需要的能耗和成本,并减少环境污染,而且所制得的五氧化二钒薄膜为纳米薄膜,具有较好的结晶度。 |
申请公布号 |
CN105198233A |
申请公布日期 |
2015.12.30 |
申请号 |
CN201510570859.0 |
申请日期 |
2015.09.09 |
申请人 |
哈尔滨工业大学 |
发明人 |
李垚;赵九蓬;豆书亮;王艺;侯雪梅 |
分类号 |
C03C17/25(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/25(2006.01)I |
代理机构 |
北京君恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11466 |
代理人 |
黄启行;张璐 |
主权项 |
一种低温制备五氧化二钒纳米薄膜的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(1)清洗基片:使用清洗试剂浸泡所述基片,然后在清洗溶剂中将浸泡过的基片进行超声处理并晾干;(2)溶胶制备:以1:20至1:80的重量体积比将熔融状态的五氧化二钒导入水中并搅拌,然后加入稳定剂并搅拌,制得五氧化二钒溶胶;(3)成膜:将清洗过的所述基片在所述五氧化二钒溶胶中提拉得到规定厚度的薄膜并在干燥箱中干燥,从而得到非晶五氧化二钒薄膜;和(4)薄膜后处理:将所述非晶五氧化二钒薄膜密封在反应釜中于180℃至300℃保温12小时至36小时,从而得到定向排列的五氧化二钒薄膜。 |
地址 |
150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |