化学机械抛光(CMP)组合物在抛光含有至少一种III-V 族材料的基材或层中的用途

摘要

描述了化学机械抛光(CMP)组合物在抛光含有一种或多种III-V族材料的基材或层中的用途，其中该化学机械抛光(CMP)组合物包含下列组分：(A)在2-6的pH下具有-15mV或-15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅颗粒；(B)一种或多种选自如下的成分：(i)不具有与三唑环稠合的芳族环的取代和未取代三唑类，(ii)苯并咪唑，(iii)选自具有两个或更多个羧基的氨基酸、脂族羧酸及其相应盐的螯合剂，以及(iv)丙烯酸及其相应盐的均聚物和共聚物，(C)水；(D)任选一种或多种其他成分，其中该组合物的pH为2-6。

主权项

化学机械抛光(CMP)组合物在抛光含有一种或多种III‑V族材料的基材或层中的用途，其中所述化学机械抛光(CMP)组合物包含下列组分：(A)在2‑6的pH下具有‑15mV或‑15mV以下的负ζ电位的表面改性二氧化硅颗粒；(B)一种或多种选自如下的成分：(i)不具有与三唑环稠合的芳族环的取代和未取代三唑类，(ii)苯并咪唑，(iii)选自具有两个或更多个羧基的氨基酸、脂族羧酸及其相应盐的螯合剂，以及(iv)丙烯酸及其相应盐的均聚物和共聚物，(C)水；(D)任选一种或多种其他成分；其中所述组合物的pH为2‑6。