一种用于制备半导体功率器件的方法

摘要

一种半导体功率器件包括一个形成在重掺杂层上的轻掺杂层。一个或多个器件形成在轻掺杂层中。每个器件都包括一个本体区、一个源极区、以及一个形成在轻掺杂区中相应的沟槽中的一个或多个栅极电极。每个沟槽的深度都在第一维度上，宽度在第二维度上，长度在第三维度上。本体区的导电类型与轻掺杂层和重掺杂层相反。源极区形成在上表面附近。一个或多个深接触区形成在沿一个或多个沟槽附近的第三维度的一个或多个位置处。接触区在第一方向上从上表面开始，延伸到轻掺杂层中，并与源极区电接触。

主权项

一种用于制备半导体功率器件的方法，其特征在于，包括：在第一导电类型的重掺杂层上方，第一导电类型的轻掺杂层中，制备一个或多个沟槽；在一个或多个沟槽中，制备一个或多个电绝缘栅极电极，其中一个或多个沟槽中的每个沟槽的深度都在第一维度上延伸，宽度在第二维度上延伸，长度在第三维度上延伸，其中第一维度垂直于重掺杂层的平面，其中第二和第三维度平行于重掺杂层的平面；在轻掺杂层上表面附近的一个或多个沟槽周围，制备一个掺杂本体区，其中本体区为第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反；在上表面周围，以及一个或多个沟槽中附近，制备一个源极区，其中源极区为重掺杂第一导电类型；在一个或多个沟槽附近的一个或多个位置上，制备一个或多个深重掺杂接触区，沿第三维度，其中一个或多个深重掺杂接触区在第一方向上从上表面开始，延伸到轻掺杂层中，其中一个或多个深重掺杂接触区与源极区电接触；在一个或多个沟槽中的一个或多个沟槽附近的台面结构中的源极区中，制备一个延长的开口，其中开口中的一部分掺杂本体区从源极区裸露出来；并且在台面结构的延长开口中制备一个有源晶体管单元接触区，其中有源晶体管单元接触区与一个或多个深重掺杂接触区中的一个或多个深重掺杂接触区电接触。