半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：在衬底上形成金属层；氧化所述金属层的表面；在所述金属层上形成包括半导体元件的元件形成层；在所述元件形成层中形成沟槽；将液体供应到至少形成所述沟槽的部分；在所述液体的浸透供应之后，在由于分离暴露的表面随着分离进行而被所述液体濡湿的同时，从所述衬底分离所述元件形成层；以及在分离步骤之后，将挠性衬底固定到所述元件形成层。