| 发明名称 | 高压肖特基二极管器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高压肖特基二极管器件，包含：一N型埋层；位于N型埋层之上的N型深阱；在N型埋层外围具有P型埋层，在俯视角度上P型埋层是环绕包围N型埋层；P型埋层之上为高压P阱，对应地，高压P阱环绕包围N型深阱；高压P阱中还具有重掺杂P型区；在N型深阱中，具有环形的P阱，以及位于环形P阱外围环形的N阱，P阱与N阱之间以场氧隔离；P阱中具有重掺杂P型区，N阱中具有重掺杂N型区，以形成引出；所述隔离环形的P阱和N阱的场氧之上，具有多晶硅场板；并且多晶硅场板与肖特基二极管的负极通过金属短接。本发明通过增加多晶硅环形成与肖特基二极管的负极相连的多晶硅场板，调节场氧下的电场，提高肖特基二极管的耐压能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105206685A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201510626633.8 | 申请日期 | 2015.09.28 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 杨新杰 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种高压肖特基二极管器件,其结构包含：一N型埋层；位于N型埋层之上的N型深阱；在N型埋层外围具有P型埋层，在俯视角度上P型埋层是环绕包围N型埋层；P型埋层之上为高压P阱，对应地，高压P阱环绕包围N型深阱；高压P阱中还具有重掺杂P型区；在N型深阱中，具有环形的P阱，以及位于环形P阱外围环形的N阱，P阱与N阱之间以场氧隔离；P阱中具有重掺杂P型区，N阱中具有重掺杂N型区，以形成引出；其特征在于：所述隔离环形的P阱和N阱之间的场氧之上，具有多晶硅场板；并且多晶硅场板与肖特基二极管的负极通过金属短接。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||