| 发明名称 | 用于制备具有通过径向压缩降低的应变的异质结构的方法和装置 | ||
| 摘要 | 公开了用于制备具有降低的应变的异质结构的装置和方法。所述异质结构包括半导体结构，所述半导体结构顺应具有与所述结构不同的晶格常数的表面层以形成相对低的缺陷的异质结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105210172A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201380073273.2 | 申请日期 | 2013.12.30 |
| 申请人 | 太阳能爱迪生半导体有限公司 | 发明人 | R·J·法尔斯特;V·V·沃龙科夫;J·A·皮特尼;P·D·阿尔布雷克特 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/322(2006.01)I;H01L21/463(2006.01)I;H01L21/687(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 一种用于弛豫在异质结构中应变的方法，所述异质结构包括衬底、在所述衬底上设置的表面层以及在所述衬底与所述表面层之间的界面，所述衬底包括中心轴、通常垂直于所述中心轴的背表面以及跨所述衬底穿过所述中心轴延伸的直径，所述方法包括：在所述衬底中形成位错源层；以及径向压缩所述衬底以产生位错并且从所述位错源层将所述位错朝向所述表面层滑动。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡市 | ||