| 发明名称 | 振动装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供可进一步减小频率温度系数TCF的绝对值的振动装置。振动装置(1)是在基部(2)上，在X方向并排有向Y方向延伸的多个音叉臂(3～5)，音叉臂(3～5)具有在作为简并半导体的Si层(11)上层叠有氧化硅层(12)，在氧化硅层(12)上设置有激发部(13)的构造，在将Si层(11)的厚度的总和设为T1、将氧化硅层(12)的厚度的总和设为T2、将在Si层(11)上未设置有氧化硅层(12)的情况下的频率温度系数TCF设为x时，厚度比T2/(T1+T2)成为(-0.0002x<sup>2</sup>-0.0136x+0.0014)±0.05的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN105210295A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201480026898.8 | 申请日期 | 2014.05.01 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 西村俊雄;长谷贵志;竹山佳介;开田弘明;梅田圭一;岸武彦;山田宏 |
| 分类号 | H03H9/24(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 舒艳君;李洋 |
| 主权项 | 一种振动装置，该振动装置具备基部以及一端与所述基部连接并向Y方向延伸的多个音叉臂，所述多个音叉臂在与所述Y方向正交的X方向并排，并且所述音叉臂在与所述X方向以及Y方向正交的Z方向弯曲振动，所述音叉臂包含由简并半导体构成的Si层、氧化硅层、压电体层、以及对所述压电体层施加电压的第一、第二电极，在将所述Si层的厚度的总和设为T1、将所述氧化硅层的厚度的总和设为T2、将未设置有所述氧化硅层的情况下的所述振动装置的TCF设为x(ppm/K)时，T2/(T1+T2)处于(‑0.0002x<sup>2</sup>‑0.0136x+0.0014)±0.05的范围。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||