发明名称 一种碳-锡复合导电膜的制备方法
摘要 本发明提供一种制备碳-锡复合导电膜的方法。将氯化锡置于7&lt;pH&lt;9的醇-水溶液中,水解醇解后,除去氯离子,并干燥除水,所得固体作为碳和锡的前驱物,所述醇-水溶液中醇水质量比大于9:1;将惰性衬底置于管式炉的一端,将氯化锡水解醇解所得固体置于管式炉的中心,通入惰性气氛,控制管式炉的中心温度600~800<sup>o</sup>C,惰性衬底端的温度比管式炉的中心低50~100<sup>o</sup>C,处理3个小时以上。该方法可在导电基底材料、不导电基底材料等表面形成碳-锡复合导电膜。制备的C-Sn膜可以作为电极材料使用。
申请公布号 CN103981506B 申请公布日期 2015.12.30
申请号 CN201410233604.0 申请日期 2014.05.29
申请人 武汉大学 发明人 毛旭辉;张学俊;朱华;肖巍
分类号 C23C16/14(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C25B3/04(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I 主分类号 C23C16/14(2006.01)I
代理机构 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人 汪俊锋
主权项 一种碳‑锡导电膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将氯化锡置于7&lt;pH&lt;9的醇‑水溶液中,水解醇解后,除去氯离子,并干燥除水,所得固体作为碳和锡的前驱物,所述醇‑水溶液中醇水质量比大于9:1;将惰性衬底置于管式炉的一端,将氯化锡水解醇解所得固体置于管式炉的中心,通入惰性气氛,控制管式炉的中心温度600~800 <sup>o</sup>C,惰性衬底端的温度比管式炉的中心低50~100<sup>o</sup>C,处理3个小时以上。
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学