压力传感芯片及其加工方法

摘要

本发明公开了一种压力传感芯片及其加工方法，其中芯片包括上层结构和下层结构；下层结构包括下层衬底片，其上设有串联的MEMS平行平板电容和MEMS电感；上层结构包括上层衬底片、MEMS压力感应膜、MEMS电容介质板和金属层，MEMS压力感应膜固定在上层衬底片上，且置于下层衬底片上方，MEMS电容介质板和金属层均固定在MEMS压力感应膜的下表面；MEMS电容介质板置于电容的两个电极板之间，金属层位于MEMS电感的上方；MEMS压力感应膜受压产生纵向位移，并带动MEMS电容介质板和金属层移动，使得MEMS电容介质板插入MEMS平行平板电容的深度发生改变，且金属层与MEMS电感之间的磁间隙也发生变化。

主权项

一种压力传感芯片，其特征在于，包括相连接的上层结构和下层结构；所述下层结构包括下层衬底片，该下层衬底片上设有串联的MEMS平行平板电容和MEMS电感线圈结构；上层结构包括上层衬底片、MEMS压力感应膜、MEMS电容介质板和金属层， MEMS压力感应膜固定在上层衬底片上，且置于下层衬底片上方，MEMS电容介质板和金属层均固定在MEMS压力感应膜的下表面上；MEMS电容介质板置于MEMS平行平板电容的两个电极板之间，金属层位于MEMS电感的上方；MEMS压力感应膜受压产生纵向位移，并带动MEMS电容介质板和金属层移动，使得MEMS电容介质板插入MEMS平行平板电容的深度发生改变，且金属层与MEMS电感线圈结构之间的磁间隙也发生变化。