| 发明名称 | 一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法，包括如下步骤：使用由磷酸、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗；对清洗后的硅酸镓镧晶片进行漂净并甩干；使用由氨水、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗；对清洗后的硅酸镓镧晶片漂净并甩干；将漂净甩干后的晶片放入烘箱中烘干。利用本发明，压缩酸性清洗流程的时间并延长碱性清洗流程的时间，同时利用更为有效的兆声清洗替代传统的超声清洗，解决了切割处理后硅酸镓镧晶片的清洗问题，提高了硅酸镓镧晶片表面的清洁度，取得了较好的清洗效果。 | ||
| 申请公布号 | CN103878145B | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201410155237.7 | 申请日期 | 2014.04.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李冬梅;周磊;梁圣法;李小静;张浩;谢常青;刘明 |
| 分类号 | B08B3/12(2006.01)I;C30B33/00(2006.01)I;C30B29/34(2006.01)I | 主分类号 | B08B3/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种对硅酸镓镧晶片进行清洗的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：使用由磷酸、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗；步骤2：对清洗后的硅酸镓镧晶片进行漂净并甩干；步骤3：使用由氨水、双氧水以及去离子水组成的清洗液对硅酸镓镧晶片进行兆声清洗；步骤4：对清洗后的硅酸镓镧晶片漂净并甩干；步骤5：将漂净甩干后的晶片放入烘箱中烘干。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||