| 发明名称 | 包括鳍式场效应晶体管的集成电路器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括鳍式场效应晶体管的集成电路器件及其形成方法。提供形成鳍式FET的方法。所述方法可包括：在基底上形成包括铟(In)的鳍状沟道区，在所述基底上形成邻近于所述沟道区的深源/漏区，以及在所述沟道区和所述深源/漏区之间形成源/漏延伸区。所述源/漏延伸区的相反的侧壁可分别接触所述沟道区和所述深源/漏区，和所述源/漏延伸区可包括In<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>As，和y在约0.3-约0.5的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN105185712A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201510220856.4 | 申请日期 | 2015.05.04 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | B.J.奥布雷多维克;R.C.鲍恩;M.S.罗德 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 金拟粲 |
| 主权项 | 形成鳍式FET的方法，所述方法包括：在基底上形成包括铟(In)的鳍状沟道区；在所述基底上形成邻近于所述沟道区的深源/漏区；和在所述沟道区和所述深源/漏区之间形成源/漏延伸区，其中：所述源/漏延伸区的相反的侧壁分别接触所述沟道区和所述深源/漏区；和所述源/漏延伸区包括In<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>As，和y在约0.3‑约0.5的范围内。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||