| 发明名称 | R-T-B系烧结磁体 | ||
| 摘要 | 一种R-T-B系烧结磁体，其特征在于，具有R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B晶粒的R-T-B系烧结磁体，在由邻接的2个以上的所述R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B晶粒形成的晶界中，具有R、Co、Cu、N的浓度均高于所述R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B晶粒内的R-Co-Cu-N浓缩部。 | ||
| 申请公布号 | CN105190792A | 申请公布日期 | 2015.12.23 |
| 申请号 | CN201480009120.6 | 申请日期 | 2014.07.03 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 三轮将史;中嶋春菜;三竹晃司;石坂力 |
| 分类号 | H01F1/057(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I | 主分类号 | H01F1/057(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 杨琦;黄贤炬 |
| 主权项 | 一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于：是具有R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B晶粒的R‑T‑B系烧结磁体，在由邻接的2个以上的所述R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B晶粒形成的晶界中，具有R、Co、Cu、N的浓度均高于所述R<sub>2</sub>T<sub>14</sub>B晶粒内的R‑Co‑Cu‑N浓缩部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||