半导体器件以及半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件以及半导体器件的制造方法。提供一种抑制由于对光发射端面的灾变性光学损伤(COD)而造成的端面破坏并具有高输出特性的半导体激光器。在具有从(0001)面在<1-100>方向上的偏离角的主面的n型衬底上提供n型披覆层、电流阻挡层、有源层以及p型披覆层。例如，电流阻挡层布置在电流狭窄区的两侧。随后，电流阻挡层布置为从解理面(线)缩回。在这种情况下，在具有结晶生长在n型披覆层和电流阻挡层上的量子阱结构的有源层中，窗口区从解理面(线)直至电流阻挡层的端部的层厚度小于电流狭窄区(电流阻挡层之间的区域)的层厚度。因此，窗口区中的有源层的带隙变大，且因此能抑制由于COD造成的端面破坏。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；第一氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层布置在所述衬底的主面上；第二氮化物半导体层，所述第二氮化物半导体层布置在所述第一氮化物半导体层上；第三氮化物半导体层，所述第三氮化物半导体层布置在所述第二氮化物半导体层上；第四氮化物半导体层，所述第四氮化物半导体层布置在所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层之间；以及侧面，所述第二氮化物半导体层在所述侧面处暴露，其中，所述侧面在第一方向上延伸，其中，所述第四氮化物半导体层布置为在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的第一区域的两侧的第二区域中，从所述侧面缩回，其中，所述第一氮化物半导体层的带隙大于所述第二氮化物半导体层的带隙，所述第一氮化物半导体层是第一导电类型，其中，所述第三氮化物半导体层的带隙大于所述第二氮化物半导体层的带隙，所述第三氮化物半导体层是第二导电类型，所述第二导电类型是与所述第一导电类型相反的导电类型；其中，所述第四氮化物半导体层的带隙大于所述第三氮化物半导体层的带隙，所述第四氮化物半导体层包含Al；其中，所述衬底的所述主面具有从(0001)面在<1‑100>方向上的偏离角，并且其中，从所述第二氮化物半导体层的所述侧面直至所述第四氮化物半导体层的端部的第三区域的层厚度小于所述第一区域的层厚度。