发明名称 一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置
摘要 本发明公开了一种芯片设计阶段可靠性评估方法和装置,其中,该方法包括:根据确定的芯片功能划分功能模块,并根据所述功能模块的需求进行网表设计;根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真,当前仿真结果满足所述功能模块的需求时,进行版图绘制;在版图绘制完成后,提取布线后的寄生的电容和电阻,根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真;当后仿真结果满足所述功能模块的需求时,根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真;当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时,则进行制版流片。本发明的芯片设计阶段可靠性评估方法和装置,与传统的开发流程相比,可以缩小产品的开发周期,减少修改光刻板的次数,进而降低开发成本。
申请公布号 CN105183978A 申请公布日期 2015.12.23
申请号 CN201510557112.1 申请日期 2015.09.02
申请人 北京智芯微电子科技有限公司;国家电网公司 发明人 陈燕宁;赵东艳;张海峰;付振;李伯海
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人 王正茂;俞佳
主权项 一种芯片设计阶段可靠性评估方法,其特征在于,包括:根据确定的芯片功能划分功能模块,并根据所述功能模块的需求进行网表设计;根据BSIM器件模型对所述网表进行前仿真,当前仿真结果满足所述功能模块的需求时,进行版图绘制;在版图绘制完成后,提取布线后的寄生的电容和电阻,根据BSIM器件模型对提取后的网表进行后仿真;当后仿真结果满足所述功能模块的需求时,根据预先建立的老化BSIM器件模型再次进行仿真;当再次仿真结果满足所述功能模块的需求时,则进行制版流片。
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