用于多图案化应用的光调谐硬掩模

摘要

本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiO_xN_yC_z:H_w，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiO_xN_yC_z:H_w被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。

主权项

一种用于在膜堆叠上形成硬掩模的方法，所述方法包括以下步骤：从设置于腔室中的靶材溅射含硅材料到基板的表面上；以及输送工艺气体流，同时从所述靶材溅射所述材料，其中所述工艺气体包含氧和氮，及其中调整所述工艺气体中的氧对氮的比率，使得在意图使用的光刻曝光波长下，被溅射材料的光学特性具有与光刻胶层的所述光学特性实质类似的值，所述光刻胶层待设置于所述被溅射材料的表面上。