| 发明名称 |
COPPER CLEANING AND PROTECTION FORMULATIONS |
| 摘要 |
잔여물 및 오염물을 갖는 마이크로전자 장치로부터 상기 잔여물 및 오염물을 화학적 기계 연마(CMP)후 세정하기 위한 세정 조성물 및 방법. 세정 조성물은 부식 억제제 및 계면활성제를 포함한다. 조성물은 낮은-k 유전체 또는 구리 상호연결 물질을 손상시키지 않고 마이크로전자 장치의 표면으로부터 CMP후 잔여물 및 오염물의 매우 효과적인 세정을 달성한다. |
| 申请公布号 |
KR20150143676(A) |
申请公布日期 |
2015.12.23 |
| 申请号 |
KR20157032394 |
申请日期 |
2014.04.22 |
| 申请人 |
ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS INC. |
发明人 |
LIU JUN;SUN LAISHENG;MEDD STEVEN;BARNES JEFFREY A.;WRSCHKA PETER;THOMAS ELIZABETH |
| 分类号 |
C23G1/18;C11D3/00;C11D3/30;C11D11/00;C23G1/20;H01L21/02 |
主分类号 |
C23G1/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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