发明名称 一种存储单元及包括该存储单元的NOR闪存存储器
摘要 本实用新型涉及集成电路领域,公开了一种存储单元和包括该存储单元的NOR闪存存储器,该存储单元包括存储单元阵列、MOS管M2、MOS管M3、电阻器R0和开关电路,所述电阻器R0一端连接所述存储单元阵列的源端和所述MOS管M3的漏端、另一端连接所述MOS管M2的漏端,所述MOS管M2和所述MOS管M3的源端接地,所述开关电路连接在所述存储单元阵列的源端和字线之间。该存储单元和包括该存储单元的NOR闪存存储器能够避免存储单元阵列的位线电压下降过多,从而提高了其编程效率,增加了编程的可靠性。
申请公布号 CN204904842U 申请公布日期 2015.12.23
申请号 CN201520429623.0 申请日期 2015.06.19
申请人 四川省豆萁科技股份有限公司 发明人 陈继兴;陶胜
分类号 G11C16/10(2006.01)I 主分类号 G11C16/10(2006.01)I
代理机构 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人 曹寒梅;肖冰滨
主权项 一种存储单元,其特征在于,该存储单元包括存储单元阵列、MOS管M2、MOS管M3、电阻器R0和开关电路,所述电阻器R0一端连接所述存储单元阵列的源端和所述MOS管M3的漏端、另一端连接所述MOS管M2的漏端,所述MOS管M2和所述MOS管M3的源端接地,所述开关电路连接在所述存储单元阵列的源端和字线之间。
地址 621000 四川省绵阳市经济技术开发区三江大道北段39号