发明名称 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF DETECTING TEMPERATURE
摘要 <p>열처리를 개시할 때까지의 대기 시간을 짧게 한다. 기판을 처리하는 처리실을 형성하는 반응관; 및 내부를 길이 방향으로 가로지르는 관통공을 적어도 2개 포함하는 절연관과, 상단에 제1 열전대 소선과 제2 열전대 소선을 접합하는 열전대 접합부를 포함하고, 상기 제1 열전대 소선과 상기 제2 열전대 소선이 상기 적어도 2개의 관통공에 각각 삽입되며 상기 반응관의 온도를 계측하는 열전대를 구비하고, 상기 절연관은 상기 열전대 접합부를 수용하는 결부를 포함하는 열전대 지지체;를 포함하는 기판 처리 장치를 구성한다.</p>
申请公布号 KR101579501(B1) 申请公布日期 2015.12.22
申请号 KR20150029724 申请日期 2015.03.03
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 야마구치 히데토;코스기 테츠야;우에노 마사아키
分类号 H01L21/324;H01L21/67 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人
主权项
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