| 发明名称 | 应力层图案的设计方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI514481 | 申请公布日期 | 2015.12.21 |
| 申请号 | TW101116573 | 申请日期 | 2012.05.09 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄俊宪;陈明瑞;黄家纬;曾鼎程 |
| 分类号 | H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 | |
| 主权项 | 一种应力层图案的设计方法，其中该应力层图案用以形成一第二型金氧半电晶体的一源极/汲极区，该方法包括：计算出该应力层图案的边界与一第一型金氧半电晶体的一第一主动区图案之间的一第一距离；以及当该第一距离小于一安全距离时，缩小该应力层图案，而使得该第一距离至少等于该安全距离。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||