发明名称 衬底基板、半导体用复合基板、半导体电路基板以及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI514441 申请公布日期 2015.12.21
申请号 TW103144719 申请日期 2014.12.22
申请人 日本碍子股份有限公司 发明人 宫泽杉夫;岩崎康范;高垣达朗;井出晃启;中西宏和
分类号 H01L21/02;H01L27/12 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种衬底基板,系半导体用复合基板之衬底基板,其特征在于:前述衬底基板系由多结晶透光性氧化铝所形成,前述多结晶透光性氧化铝之氧化铝纯度为99.9%以上,前述多结晶透光性氧化铝之在200~400nm的波长范围内之前方全光线透过率之平均值为60%以上,前述多结晶透光性氧化铝之在200~400nm的波长范围内之直线透过率之平均值为15%以下。
地址 日本