| 主权项 |
一种半导体元件，包括：一基板；一鳍状物位于该基板上，且该鳍状物系由具有一第一晶格常数之一第一半导体材料组成；一闸极区形成于该基板上的部份该鳍状物上；一源极区与一汲极区，被该基板上的该闸极区隔开；以及一具有第一厚度之一源极/汲极堆叠位于该源极区与该汲极区上；其中该源极/汲极堆叠之下半部为具有一第二晶格常数之一第二半导体材料，该源极/汲极堆叠之下半部接触该闸极区中的该鳍状物的下半部，且该第二晶格常数实质上小于该第一晶格常数；其中该源极/汲极堆叠之上半部为具有一第三晶格常数之一第三半导体材料，该源极/汲极堆叠之上半部接触该闸极区中的该鳍状物的上半部，该第三半导体材料位于该第二半导体材料的顶部上，该第三半导体材料具有一第二厚度，且该第三晶格常数大于或等于该第一晶格常数。 |
