| 摘要 |
本発明は、良好なエピタキシャル成長膜の形成が可能であり、高品質なエピタキシャル基板を実現できるＳｉＣ単結晶基板を提供する。本発明は、ＣＭＰ処理された研摩面を有するＳｉＣ単結晶基板であって、ＳｉＣ単結晶基板の断面を、Ｌ、ｈをそれぞれ自然数としたときに、００Ｌの反射またはｈ−ｈ０反射について透過電子顕微鏡により観察をした際に、研摩面から垂直方向に１００ｎｍ以内に発生したもので、研摩面と平行な方向の幅が３０ｎｍ以上であり、研摩面に対して垂直な方向の長さが５０ｎｍ以上の大きさを有した格子欠陥が、研摩面と平行な方向の１０μｍ長さの間に、５個以下観察されることを特徴とする。 |
