氧化物半导体膜及半导体装置

主权项

一种半导体装置，包含：闸极电极；包含结晶区域之氧化物半导体膜；及介于该闸极电极与该氧化物半导体膜之间的闸极绝缘膜，其中该结晶区域具有其中c轴与该氧化物半导体膜之一表面实质上垂直的晶体结构，其中该氧化物半导体膜系在非单晶态中，及其中该氧化物半导体膜不包含晶界于该结晶区域之介面上。