发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI514534 申请公布日期 2015.12.21
申请号 TW103127991 申请日期 2008.06.11
申请人 瑞萨电子股份有限公司 发明人 高桥典之
分类号 H01L23/495;H01L23/31;H01L21/58 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种半导体装置,其特征为包含:晶片搭载部;半导体晶片,其系搭载于前述晶片搭载部,且包含:主面、形成于前述主面之第1电极、形成于前述主面之第2电极、及与前述主面相反侧之背面;复数之悬吊导线,其系支持前述晶片搭载部;复数之共通导线,于俯视时,其系配置于前述晶片搭载部之周围;复数之导线,于俯视时,其系配置于前述晶片搭载部之周围;复数之第1配线,其系将前述复数之第1电极与前述复数之共通导线分别电性连接;复数之第2配线,其系将前述复数之第2电极与前述复数之导线分别电性连接;密封体,其系将前述半导体晶片、前述复数之第1配线及前述复数之第2配线予以密封;前述晶片搭载部、前述复数之悬吊导线、前述复数之共通导线及前述复数之导线系包含以铜为主成分之金属;且各前述复数之共通导线,于俯视时,系配置于前述复数之悬吊导线中之彼此相邻接之悬吊导线之间;各前述复数之共通导线,于俯视时,系配置于前述晶片搭载部与前述复数之导线之间;各前述复数之共通导线系连结于各前述复数之悬吊导线之第1部分;于各前述复数之悬吊导线之前述第1部分形成有细缝; 各前述复数之共通导线系形成为直线状;于各前述复数之悬吊导线之前述第1部分形成,且未形成于各前述复数之共通导线之前述细缝,系位于各前述复数之共通导线之延长线上。
地址 日本