发明名称 发光二极体的光电化学(PEC)偏压技术
摘要
申请公布号 TWI514627 申请公布日期 2015.12.21
申请号 TW100136851 申请日期 2011.10.11
申请人 皇家飞利浦电子股份有限公司 发明人 魏亚军
分类号 H01L33/36;F21V19/00 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种用于制造一发光二极体(LED)结构之方法,其包含:提供复数个LED,每一LED包含至少一第一半导体层,该第一半导体层经曝露且连接至每一LED之一第一电极;提供一子基板晶圆,其具有一第一金属部分,该第一金属部分电连接至每一LED之该第一电极以用于向每一LED提供一激励电流,该子基板晶圆具有一第二金属部分,该第二金属部分接近该第一金属部分但并不电连接至该第一金属部分;将至少该第一半导体层浸没于一溶液中以用于电化学(EC)蚀刻,该溶液具有将该第二金属部分电连接至该第一金属部分的一电导;及在该EC蚀刻期间藉由一第一偏压电压对该第二金属部分加偏压以对该第一半导体层加偏压以用于蚀刻该第一半导体层。
地址 荷兰