容量性マイクロマシントランスデューサ及びその製造方法

摘要

本発明は、容量性マイクロマシントランスデューサ１００、特に、ＣＭＵＴを製造する方法に関する。当該方法は、基板上１に第１の電極層１０を堆積させるステップと、第１の電極層１０上に第１の誘電体膜２０と堆積させるステップと、第１の誘電体膜２０上に、トランスデューサのキャビティ３５を形成するために除去可能である犠牲層３０を堆積させるステップと、犠牲層３０上に第２の誘電体膜４０を堆積させるステップと、第２の誘電体膜４０上に第２の電極層５０を堆積させるステップと、堆積層及び膜１０、２０、３０、４０、５０のうちの少なくとも１つをパターニングするステップとを含み、上記堆積ステップは、原子層堆積によって行われる。本発明は更に、上記方法によって製造される容量性マイクロマシントランスデューサ１００、特に、ＣＭＵＴに関する。