| 摘要 |
Un aspect de l'invention concerne un dispositif de mémoire vive résistive (10) comportant : - une première électrode (E1) ; - un électrolyte solide en oxyde métallique (ML) s'étendant sur la première électrode (E1) ; - une deuxième électrode (E2) apte à fournir des ions mobiles circulant dans l'électrolyte solide en oxyde métallique (ML) vers la première électrode (E1) pour former un filament conducteur entre les première et deuxième électrodes lorsqu'une tension est appliquée entre les première et deuxième électrodes ; - une couche d'interface (INT1) comprenant un métal de transition des groupes 3, 4, 5 ou 6 du tableau périodique des éléments et un élément chalcogène ; la couche d'interface (INT1) s'étendant sur l'électrolyte solide en oxyde métallique (ML), la deuxième électrode (E2) s'étendant sur la couche d'interface (INT1). |
