发明名称 |
不揮発性メモリアレイ及びフラクショナルワードプログラミングのための不揮発性メモリアレイを使用する方法 |
摘要 |
不揮発性メモリセルのN個の面(102a、102b)(Nは、1より大きい整数)を含む不揮発性メモリ装置。不揮発性メモリセル(10)のそれぞれの面は、行(22)及び列(20)に構成された複数のメモリセルを含む。N個の面のそれぞれは、N個の面のそれぞれにおけるメモリセルの行に亘って延在するが、不揮発性メモリセルのN個の面の他の面には延在しないゲート線(26、14、28)を含む。コントローラは、複数のワードのデータのそれぞれをN個のフラクショナルワードに分割し、それぞれのワードのデータのN個のフラクショナルワードのそれぞれを不揮発性メモリセルのN個の面の異なる1つの面にプログラミングするように構成される。コントローラは、プログラミングのためのプログラミング電流と、プログラム時間と、を使用し、プログラミング電流を係数により変動させ、プログラム時間を該係数により反比例して変動させるように構成させることが可能である。 |
申请公布号 |
JP2015536011(A) |
申请公布日期 |
2015.12.17 |
申请号 |
JP20150534830 |
申请日期 |
2013.10.09 |
申请人 |
シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. |
发明人 |
トラン ヒュー ヴァン;リー アィン;ヴー トゥアン;グエン フン クオック |
分类号 |
G11C16/04;G11C16/02;G11C16/06;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
主分类号 |
G11C16/04 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|