| 摘要 |
Verfahren (110) zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung (500), umfassend: Bereitstellen (S112) eines Substrats (210) mit einer Oberfläche (211); Ausbilden (S114) einer Isolierschicht (220) auf einem Teil der Oberfläche (211); Ausbilden (S116) eines ersten Halbleiterabschnitts (231) und, davon beabstandet, eines zweiten Halbleiterabschnitts (232) auf der Oberfläche (211) des Substrats (210), wobei die Isolierschicht (220) zwischen einer Seitenfläche (233a) des ersten Halbleiterabschnitts (231) und einer Seitenfläche (234a) des zweiten Halbleiterabschnitts (232) angeordnet ist, die einander gegenüber liegen; und Ausbilden (S118) einer ersten Seitenisolierschicht (241a) auf der Seitenfläche (233a) des ersten Halbleiterabschnitts (231). |
