| 发明名称 | p-NiO/n-ZnO异质结光催化材料及其制备方法与应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种p-NiO/n-ZnO异质结光催化材料及其制备方法与应用，所述光催化材料以ITO为衬底，在ITO衬底上生长ZnO纳米阵列，然后在ZnO纳米阵列上生长NiO网格结构，构成ZnO/NiO的双层复合结构。本发明利用水热法在透明导电薄膜衬底(ITO)上制备NiO/ZnO异质pn结，光生电子和空穴在pn结的自建电场作用有效分离，提高光催化性能，开展了光催化性能的研究，表明NiO/ZnO异质pn结在光催化降解有机物方面具有很好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN105148924A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201510519795.1 | 申请日期 | 2015.08.22 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 发明人 | 矫淑杰;周廷龙;李海力;朱春光 |
| 分类号 | B01J23/80(2006.01)I;A62D3/17(2007.01)I | 主分类号 | B01J23/80(2006.01)I |
| 代理机构 | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人 | 高媛 |
| 主权项 | 一种p‑NiO/n‑ZnO异质结光催化材料，其特征在于所述光催化材料以ITO为衬底，在ITO衬底上生长ZnO纳米阵列，然后在ZnO纳米阵列上生长NiO网格结构，构成ZnO/NiO的双层复合结构。 | ||
| 地址 | 150000 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | ||