发明名称 基于铁酸铋的光电传感器元件及其制作方法
摘要 本发明公开了一种基于铁酸铋的光电传感器元件及其制作方法,所述光电传感器元件包括自下而上依次布置的SrTiO<sub>3</sub>衬底、作为下电极的SrRuO<sub>3</sub>外延膜、BiFeO<sub>3</sub>外延膜和作为上电极的ITO透明膜,所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜外延沉积在所述SrTiO<sub>3</sub>衬底上,所述BiFeO<sub>3</sub>外延膜外延沉积在所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜上,所述ITO透明膜外延沉积在所述BiFeO<sub>3</sub>外延膜上,所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜和ITO透明膜通过导线连接电压测量设备。本发明的光电传感器元件将能量大于铁酸铋带隙(2.7电子伏)的光辐照在该光电传感器元件之上,可以产生开路光电压,该电压正比于铁酸铋薄膜厚度。该光-开路光电压关系可以作为光电传感的信号转换。感光波长为小于430nm。
申请公布号 CN105161563A 申请公布日期 2015.12.16
申请号 CN201510639910.9 申请日期 2015.09.30
申请人 西交利物浦大学 发明人 于昊
分类号 H01L31/08(2006.01)I;H01L31/0256(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/08(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 范晴
主权项 一种基于铁酸铋的光电传感器元件,其特征在于它包括自下而上依次布置的SrTiO<sub>3</sub>衬底(1)、作为下电极的SrRuO<sub>3</sub>外延膜(2)、BiFeO<sub>3</sub>外延膜(3)和作为上电极的ITO透明膜(4),所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜(2)外延沉积在所述SrTiO<sub>3</sub>衬底(1)上,所述BiFeO<sub>3</sub>外延膜(3)外延沉积在所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜(2)上,所述ITO透明膜(4)外延沉积在所述BiFeO<sub>3</sub>外延膜(3)上,所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜(2)和ITO透明膜(4)通过导线连接电压测量设备(5)。
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