发明名称 |
基于铁酸铋的光电传感器元件及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种基于铁酸铋的光电传感器元件及其制作方法,所述光电传感器元件包括自下而上依次布置的SrTiO<sub>3</sub>衬底、作为下电极的SrRuO<sub>3</sub>外延膜、BiFeO<sub>3</sub>外延膜和作为上电极的ITO透明膜,所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜外延沉积在所述SrTiO<sub>3</sub>衬底上,所述BiFeO<sub>3</sub>外延膜外延沉积在所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜上,所述ITO透明膜外延沉积在所述BiFeO<sub>3</sub>外延膜上,所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜和ITO透明膜通过导线连接电压测量设备。本发明的光电传感器元件将能量大于铁酸铋带隙(2.7电子伏)的光辐照在该光电传感器元件之上,可以产生开路光电压,该电压正比于铁酸铋薄膜厚度。该光-开路光电压关系可以作为光电传感的信号转换。感光波长为小于430nm。 |
申请公布号 |
CN105161563A |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
CN201510639910.9 |
申请日期 |
2015.09.30 |
申请人 |
西交利物浦大学 |
发明人 |
于昊 |
分类号 |
H01L31/08(2006.01)I;H01L31/0256(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/08(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 |
代理人 |
范晴 |
主权项 |
一种基于铁酸铋的光电传感器元件,其特征在于它包括自下而上依次布置的SrTiO<sub>3</sub>衬底(1)、作为下电极的SrRuO<sub>3</sub>外延膜(2)、BiFeO<sub>3</sub>外延膜(3)和作为上电极的ITO透明膜(4),所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜(2)外延沉积在所述SrTiO<sub>3</sub>衬底(1)上,所述BiFeO<sub>3</sub>外延膜(3)外延沉积在所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜(2)上,所述ITO透明膜(4)外延沉积在所述BiFeO<sub>3</sub>外延膜(3)上,所述SrRuO<sub>3</sub>外延膜(2)和ITO透明膜(4)通过导线连接电压测量设备(5)。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号 |