| 发明名称 | 发光二极管外延片及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，其特征在于，包括：低温缓冲层GaN；不掺杂GaN层，位于所述低温缓冲层GaN之上；掺杂Si的N型GaN层，位于所述不掺杂GaN层之上；有源层，位于所述掺杂Si的N型GaN层之上；电子阻挡层，位于所述有源层之上；以及高温P型GaN层，位于所述电子阻挡层之上；其中，在改变N层气氛的条件下生长掺杂Si的N型GaN层，在改变P层气氛以及加大CP<sub>2</sub>Mg掺杂的条件下生长高温P型GaN层。本申请提出的发光二极管的外延片及其制作方法，通过改变生长N/P层时气氛使得内圈电压下降，减少清腔后电压偏高影响品质的情况，内圈电压下降的同时不影响器件的发光强度，减少清腔后恢复炉次数，降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105161596A | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201510557528.3 | 申请日期 | 2015.09.01 |
| 申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 谢鹏杰 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人 | 何自刚 |
| 主权项 | 一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括：低温缓冲层GaN；不掺杂GaN层，位于所述低温缓冲层GaN之上；掺杂Si的N型GaN层，位于所述不掺杂GaN层之上；有源层，位于所述掺杂Si的N型GaN层之上；电子阻挡层，位于所述有源层之上；以及高温P型GaN层，位于所述电子阻挡层之上；其中，在改变N层气氛的条件下生长掺杂Si的N型GaN层，在改变P层气氛以及加大CP<sub>2</sub>Mg掺杂的条件下生长高温P型GaN层。 | ||
| 地址 | 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区 | ||