发明名称 |
一种半导体激光器及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种单模大功率高亮度GaSb基布拉格反射器MOPA集成半导体激光器及其制备方法,该布拉格反射MOPA集成半导体激光器包括:衬底,外延结构,其生长所述衬底上,由下至上包括:N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层;增益放大区,其位于所述半导体激光器的前部即出光部分,为向下刻蚀所述P型上接触层形成的锥形结构;主振荡区,其位于所述增益放大区后部,为向下刻蚀P型上限制层形成的脊形波导结构;布拉格反射区,其位于所述主振荡区后部,为向下刻蚀P型上限制层形成的周期性布拉格光栅结构;光限制槽,其对称分布于所述脊形波导两侧,与所述脊形波导倾斜设置。 |
申请公布号 |
CN105161976A |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
CN201510544459.2 |
申请日期 |
2015.08.31 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
杨成奥;张宇;廖永平;魏思航;徐应强;牛智川 |
分类号 |
H01S5/068(2006.01)I;H01S5/065(2006.01)I;H01S5/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/068(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种单模大功率高亮度GaSb基布拉格反射器MOPA集成半导体激光器,其包括:衬底,外延结构,其生长所述衬底上,由下至上包括:N型下接触层、N型下限制层、下波导层、有源区、上波导层、P型上限制层、P型上接触层;增益放大区,其位于所述半导体激光器的前部即出光部分,为向下刻蚀所述P型上接触层形成的锥形结构;主振荡区,其位于所述增益放大区后部,为向下刻蚀P型上限制层形成的脊形波导结构;布拉格反射区,其位于所述主振荡区后部,为向下刻蚀P型上限制层形成的周期性布拉格光栅结构;光限制槽,其对称分布于所述脊形波导两侧,与所述脊形波导倾斜设置。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |