| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 提供了用于制造具有稳定特性并且具有高质量的半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：制备具有主表面的碳化硅层（2至4）；通过去除碳化硅层（2至4）的一部分，在主表面中形成沟槽（16）；并且通过热蚀刻，去除沟槽（16）的侧壁的一部分。 | ||
| 申请公布号 | CN102844868B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201180018742.1 | 申请日期 | 2011.07.29 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 增田健良 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 李兰;孙志湧 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的碳化硅层(2至5、32至35、42、43)；通过去除所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的一部分，在所述主表面中形成沟槽(16)；并且通过用热蚀刻去除所述沟槽(16)的侧壁的一部分，形成相对于所述主表面倾斜并且呈现预定晶面的端表面，在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)为六方晶型的情况下，所述端表面(20)包括{03‑3‑8}面和{01‑1‑4}面中的一种、或者在<1‑100>方向上相对于{03‑3‑8}面或{01‑1‑4}面具有不小于‑3°且不大于3°的偏离角的面，并且在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)为立方晶型的情况下，所述端表面(20)包括{100}面、或者在任何晶体取向上相对于{100}面具有不小于‑3°且不大于3°的偏离角的面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||