| 发明名称 | 磁电阻元件和磁性存储器 | ||
| 摘要 | 一种磁电阻元件，包括：具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向的磁化自由层；提供在磁化自由层的第一平面侧上并且具有被钉扎磁化方向的磁化受钉扎层；提供在磁化自由层与磁化受钉扎层之间的第一隧道势垒层；提供在磁化自由层的第二平面上的第二隧道势垒层；以及提供在第二隧道势垒层的与磁化自由层相反一侧上的平面上的非磁性层。磁化自由层的磁化方向通过在磁化受钉扎层与非磁性层之间施加电流而可变，并且第一隧道势垒层与第二隧道势垒层之间的电阻比在1∶0.25至1∶4的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN100592544C | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200810008901.X | 申请日期 | 2008.01.25 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 上田知正;相川尚德;吉川将寿;下村尚治;中山昌彦;池川纯夫;细谷启司;长嶺真 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦 晨 |
| 主权项 | 1.一种磁电阻元件，包括：磁化自由层，其具有第一平面和位于与第一平面相反一侧上的第二平面，并且具有可变磁化方向；提供在磁化自由层的第一平面上的第一隧道势垒层；磁化受钉扎层，提供在上述第一隧道势垒层的与上述磁化自由层相反一侧的平面上并且具有被钉扎的磁化方向；提供在磁化自由层的第二平面上的第二隧道势垒层；以及提供在第二隧道势垒层的与磁化自由层相反一侧上的平面上的非磁性层，磁化自由层的磁化方向通过在磁化受钉扎层与非磁性层之间施加电流而可变，第一隧道势垒层与第二隧道势垒层之间的电阻比在1∶0.25至1∶4的范围内，其中磁化自由层包括提供在上述第一隧道势垒层的一侧上的第一软磁性层，以及提供在第二隧道势垒层的一侧上的第二软磁性层，第二软磁性层具有比第一软磁性层小的薄膜平面面积。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||