| 发明名称 | 应变硅、栅极构建的费米场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管，包括：衬底中的应变硅沟道；衬底中在应变硅沟道两端的源极/漏极区；应变硅沟道上的栅极绝缘层；以及在栅极绝缘层上的栅极。应变硅沟道的掺杂、衬底的掺杂和/或应变硅沟道的深度被配置成可在场效应晶体管的阈电压条件下，在栅极绝缘层中和在应变硅沟道表面中产生接近零的垂直电场。此外，栅极被配置成可提供接近于硅的中间能带隙的栅极逸出功。从而，提供了具有应变硅沟道和具有中间能带隙逸出功的栅极层的费米FET。本发明还描述了使用外延生长的相关的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN100592473C | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200580047814.X | 申请日期 | 2005.12.06 |
| 申请人 | 雷鸟技术有限公司 | 发明人 | W·R·小理查兹;M·Y·-C·沈 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管，包括：衬底中的应变硅沟道；所述衬底中在所述应变硅沟道两端的源极区/漏极区；所述应变硅沟道上的栅极绝缘层，其中，所述应变硅沟道的掺杂、所述衬底的掺杂和/或所述应变硅沟道的深度被配置成可在所述场效应晶体管的阈电压条件下，在所述栅极绝缘层中和在邻近所述栅极绝缘层的应变硅沟道中产生零垂直电场；以及所述栅极绝缘层上的栅极，所述栅极被配置成可提供硅的中间能带隙的栅极逸出功。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳州 | ||