| 发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件及其制法，半导体元件的制造方法包括提供半导体基底；于半导体基底上形成界面层；于界面层上形成第一栅极介电层；于第一栅极介电层上形成金属层；以及将金属层氧化以形成金属氧化层，其中金属层的氧化包括自界面层捉取氧。本发明可有效控制栅极结构的等效氧化层厚度，还降低了栅极介电层的氧空位。 | ||
| 申请公布号 | CN101656214A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200910129867.6 | 申请日期 | 2009.03.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 侯永田;陈建豪;赵元舜;洪正隆 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 姜 燕;陈 晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件的制造方法，包括：提供一半导体基底；于该半导体基底上形成一界面层；于该界面层上形成一第一栅极介电层；于该第一栅极介电层上形成一金属层；以及将该金属层氧化以形成一金属氧化层，其中该金属层的氧化包括自该界面层捉取氧。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||