发明名称 溅镀装置及溅镀方法
摘要 在通过反应性溅镀形成规定的薄膜时,可使处理基板的整个面上的膜厚分布及电阻系数值等膜质大致均匀。设有:在真空容器(11)内的溅镀室内隔规定间隔并列设置的多个阴极靶(31a~31d);可向各阴极靶提供电力的溅镀电源(E1)、(E2);可给溅镀室导入溅镀气体及反应气体的气体导入手段(6a、6b)。导入反应气体的气体导入手段(6b)至少具有1根朝各阴极靶的并列设置方向延伸的供气管(61b),该供气管在并列设置的各阴极靶的背面一侧与各阴极靶隔一定距离配置的同时,具有向阴极靶喷射反应气体的喷射口(610)。
申请公布号 CN101657562A 申请公布日期 2010.02.24
申请号 CN200880011831.1 申请日期 2008.04.24
申请人 株式会社爱发科 发明人 矶部辰德;赤松泰彦;仓田敬臣;新井真;小松孝
分类号 C23C14/34(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 北京英特普罗知识产权代理有限公司 代理人 齐永红
主权项 1、一种溅镀装置,其特征在于:具有在溅镀室内隔规定间隔并列设置的多个阴极靶,可给各阴极靶提供电力的溅镀电源,可给溅镀室导入溅镀气体及反应气体的气体导入手段;将前述反应气体导入溅镀室的气体导入手段至少具有1根朝各阴极靶的并列设置方向延伸的供气管;该供气管在并列设置的各阴极靶的背面一侧与各阴极靶隔一定距离配置的同时,具有向阴极靶喷射反应气体的喷射口。
地址 日本神奈川县