| 发明名称 | 功率半导体模块 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在2个部件之间用Bi系焊接材料接合而成的功率半导体模块，该功率半导体模块在上述2个部件利用Bi系焊接材料而形成的被接合面上具有Cu层。作为被接合部件的上述2个部件，是半导体元件与绝缘部、或者绝缘部与散热板的组合。绝缘部由Cu/SiNx/Cu的层叠体构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101657899A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200880011912.1 | 申请日期 | 2008.04.17 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社;国立大学法人东北大学 | 发明人 | 八木雄二;山田靖;中川郁朗;渥美贵司;白井干夫;大沼郁雄;石田清仁;高久佳和 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蒋 亭;苗 堃 |
| 主权项 | 1、一种功率半导体模块，具有在表面具有Cu层的功率半导体元件、以及在SiNx陶瓷板的两面具有Cu层的Cu/SiNx/Cu层叠体的绝缘部，将所述功率半导体元件和所述绝缘部以彼此的Cu层相对的方式进行配置，并在2个Cu层之间用Bi系焊接材料接合而成。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||