发明名称 | 基于双稳态升频结构的MEMS宽频压电能量采集器 | ||
摘要 | 本发明涉及一种电器技术领域的基于双稳态升频结构的MEMS宽频压电能量采集器,包括:框架,设于框架内的双稳态梁、压电悬臂梁、永磁铁、软磁铁,其特征在于,双稳态梁的两端均固定于框架上,永磁铁附着于双稳态梁上,压电悬臂梁的一端固定于框架上,软磁铁设置于压电悬臂梁上。本发明采用双稳态升频结构,使压电换能元件在低频振动环境下获得较大的输出功率,与现有的MEMS压电能量采集器相比,它不但结构简单,制作容易,体积减小,并且它可运行于低频环境中,且可在较宽的环境振动频率范围内输出稳定的功率。 | ||
申请公布号 | CN101656493A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
申请号 | CN200910195782.8 | 申请日期 | 2009.09.17 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 刘景全;唐刚;杨春生;芮岳峰;闫肖肖 |
分类号 | H02N2/18(2006.01)I | 主分类号 | H02N2/18(2006.01)I |
代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
主权项 | 1、一种基于双稳态升频结构的MEMS宽频压电能量采集器,包括:框架和设于框架内的双稳态梁、压电悬臂梁、永磁铁、软磁铁,其特征在于,双稳态梁的两端均固定于框架上,永磁铁附着于双稳态梁上,压电悬臂梁的一端固定于框架上,软磁铁设置于压电悬臂梁上。 | ||
地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 |