| 发明名称 | 硅通孔键合结构 | ||
| 摘要 | 本发明提出了键合半导体衬底的系统和方法。优选的实施例包括在半导体衬底的表面之上形成过渡层，同时为了防止可能形成的潜在的空隙，保留从过渡层突出的TSV。在将被键合到第一半导体衬底的另一个半导体衬底上形成保护层。两个衬底被对准并键合到一起，并且过渡层防止与初始半导体衬底的表面发生任何短路接触。 | ||
| 申请公布号 | CN101656197A | 申请公布日期 | 2010.02.24 |
| 申请号 | CN200910000421.3 | 申请日期 | 2009.01.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王宗鼎;陈承先;卿恺明;李柏毅;李建勋 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 | 代理人 | 马铁良;梁 永 |
| 主权项 | 1、一种连接两个半导体晶片的方法，所述方法包括：提供第一衬底，包括：第一侧面以及与所述第一侧面相对的第二侧面；穿过所述第一衬底并从所述第一衬底的第二侧面突出的硅通孔；位于所述第一衬底的第二侧面之上的过渡层；提供具有第三侧面的第二衬底，所述第二衬底包括：位于所述第二衬底的第三侧面上的接触点；位于所述第二衬底的第三侧面之上的保护层；使所述过渡层接触所述保护层，这样所述硅通孔以及所述接触点彼此对准；以及将所述第一衬底键合到所述第二衬底上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||