| 发明名称 | 具有改进的读/写稳定性的静态随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 本发明提出了静态随机存取存储器(SRAM)单元，其包括耦合在正电源电压和电源地之间且具有至少第一存储节点的交叉耦合的反相锁存器；和串行连接在所述第一存储节点和预设的电压源之间的第一和第二切换器件，其中所述第一切换器件由字选择信号控制，和所述第二切换器件由第一位选择信号控制，其中所述字选择信号或所述第一位选择信号均仅在写操作时被激活。 | ||
| 申请公布号 | CN101635169A | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200910126307.5 | 申请日期 | 2009.02.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 薛福隆;庄建祥;方文宽 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 | 代理人 | 梁 永 |
| 主权项 | 1、一种静态随机存取存储器(SRAM)单元包括：耦合在正电源电压和电源地之间的锁存器，具有至少第一存储节点；和串行连接在所述第一存储节点和预设的电压源之间的第一和第二切换器件，其中所述第一切换器件由字选择信号控制，和所述第二切换器件由第一位选择信号控制，其中所述字选择信号和所述第一位选择信号在写操作时均被激活。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||