| 发明名称 | 多层叠堆自旋转移力矩磁阻式随机存取存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种多层叠堆自旋转移力矩磁阻式随机存取存储(STT-MRAM)器及其制造方法，所述存储器包括磁性隧道结(MTJ)，相邻的磁性隧道结(MTJ)分别形成在不同层中，从而防止在MTJ之间产生干扰并且保证热稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101635303A | 申请公布日期 | 2010.01.27 |
| 申请号 | CN200810177549.2 | 申请日期 | 2008.11.21 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 黄祥珉 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 1.一种多层叠堆自旋转移力矩磁阻式随机存取存储(STT-MRAM)器件，包括：第一磁性隧道结(MTJ)，其连接至第一单元的第一源极/漏极区域；以及第二MTJ，其连接至与所述第一单元相邻的第二单元的第一源极/漏极区域；其中，所述第一MTJ和所述第二MTJ分别形成在不同的层中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||