生长在模板上以减小应变的Ⅲ族氮化物发光器件

摘要

在III族氮化物发光器件中，包括发光层的器件层(10)生长于模板之上，该模板设计成减小该器件中尤其是该发光层中的应变。该模板包括：直接生长于衬底(20)上的第一层(22)，该第一层基本上不含铟；生长于该第一层之上的第一基本单晶层(24)；生长于该第一基本单晶层之上的第二层(26)，其中该第二层是包括铟的非单晶层。器件层生长于该模板之上，该器件层包括置于n型区域和p型区域之间的III族氮化物发光层。减小该发光器件中的应变可以改善该器件的性能。该模板可以在从常规生长模板可获得的晶格常数范围上扩展该发光层中的晶格常数。应变被如下定义：给定层具有体晶格常数a_bulk和面内晶格常数a_in-plane，其中体晶格常数a_bulk对应于与该给定层具有相同组分的自支撑材料的晶格常数，面内晶格常数a_in-plane对应于该结构中生长的该层的晶格常数。层中的应变量是|(a_in-plane-a_bulk)|/a_bulk。在某些实施例中，该发光层中的应变小于1％。

主权项

1.一种方法，包括：在衬底上生长III族氮化物结构，该III族氮化物结构包括：模板，该模板包括：直接生长于该衬底上的第一层(22)，该第一层基本上不含铟；生长于该第一层之上的第一基本单晶层(24)；生长于该第一基本单晶层之上的第二层(26)，其中该第二层是包括铟的非单晶层；以及生长于该模板上的器件层，该器件层包括置于n型区域和p型区域之间的III族氮化物发光层。